英特尔认为玻璃基板有望成为下一代主流的基板材质。根据ANANDTECH引用的Intel展示PPT，复盘芯片基板的发展历史，自1970年引线框架大规模使用于芯片封装后，英特尔认为半导体行业主流的基板技术将会每15年改变一次，未来行业将会迎来玻璃基板的转变，而从有机板到玻璃基板的这个转变将在近10年发生，同时英特尔也认为玻璃基板的出现并不会马上完全取代有机板，而是会在未来一段时间内和有机板共存。

玻璃基板、CPO工艺有望成为混合键合以后的下一代先进封装工艺。根据ANANDTECH引用的Intel展示PPT，英特尔认为基于玻璃基板、CPO将是先进封装下一代主流技术。相比有机板和硅，玻璃基板的性能和密度均有提高，可以允许在更小的占用面积下封装更多的Chiplets，以此带来更低的整体成本的功耗，让未来数据中心和AI产品得到大幅改进。根据未来半导体，英特尔研发的CPO也可以通过玻璃基板进行设计，从而实现利用光学传输的方式来增加信号，提高功率的同时降低成本。

（二）玻璃基板：材料与工艺的变革

玻璃基板主要用来取代原先的硅/有机物基板和中介层，可应用于面板、IC等泛半导体领域。在目前的2.5D封装中，以较为主流的台积电的CoWoS封装为例，是先将半导体芯片（CPU、GPU、存储器等）通过ChiponWafer（CoW）的封装制程一起连接至中介层（Interposer）上，再通过WaferonSubstrate（WoS）的封装制程将硅中介层连接至底层基板上；其中，中介层（interposer）一般选用硅（COWOS-S）、有机物（COWOS-R）或者是硅和有机物的结合（COWOS-L）。

玻璃材质的引入可以取代原先的硅中介层和有机基板。玻璃基板直接利用玻璃中介层（GlassInterposer）实现芯片之间、芯片与外部的互联，利用玻璃材质成本低、电学性能好、翘曲低等优点来克服有机物材质和硅材质的缺陷，来实现更稳定、更高效的连接以及降低生产成本，有望为2.5D/3D封装带来全新的范式改变。

玻璃基板的3D封装方面，TGV及其相关的RDL将成为关键工艺。目前的3D封装中，以HBM工艺为例，其中的关键技术包括TSV（Through-SiliconVias）、微凸点（Microbumps）、TCB键合（Thermo-CompressionBonding，热压键合）、混合键合（hybridbonding）等；对于玻璃基板的3D封装，TGV（ThroughGlassVia，玻璃通孔）、铜孔的填充及其RDL将成为关键工艺。

玻璃基板优势显著。根据《玻璃通孔技术研究进展》（陈力等），玻璃基板的优势主要体现在：

（1）低成本：受益于大尺寸超薄面板玻璃易于获取，以及不需要沉积绝缘层，玻璃转接板的制作成本大约只有硅基转接板的1/8；

（2）优良的高频电学特性：玻璃材料是一种绝缘体材料，介电常数只有硅材料的1/3左右，损耗因子比硅材料低2~3个数量级，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，可以有效提高传输信号的完整性；

（3）大尺寸超薄玻璃衬底易于获取：康宁、旭硝子以及肖特等玻璃厂商可以量产超大尺寸（大于2m×2m）和超薄（小于50μm）的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料；

（4）工艺流程简单：不需要在衬底表面及TGV内壁沉积绝缘层，且超薄转接板不需要二次减薄；

（5）机械稳定性强：当转接板厚度小于100μm时，翘曲依然较小；

（6）应用领域广泛：除了在高频领域有良好应用前景之外，透明、气密性好、耐腐蚀等性能优点使玻璃通孔在光电系统集成领域、MEMS封装领域有巨大的应用前景。

来源：惠投研报

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